STT-MRAM新型存储器具有高速、高密度、高可重写次数、非易失、抗恶劣环境等优势，在人工智能、物联网、未来计算机体系结构、穿戴设备、航空航天、汽车电子、医疗等领域具有独到的优势。对我国信息安全、自主可控具有重大的意义。该项目旨在开发STT-MRAM的核心关键技术及应用验证，研制新型半导体存储器产品，快速积累相关核心知识产权，为我国半导体存储器技术和产业发展提供储备，为下一步自主可控新型处理器架构创新提供支撑。同时，利用所建核心技术工艺平台及自旋磁电子共性核心技术，开发高性能磁传感器技术与产品，推动我国高端高性能磁传感器技术研发与产业化。